Professionaalsest vaatenurgast on kiibi tootmisprotsess äärmiselt keeruline ja tüütu.IC kogu tööstusahelast jaguneb see aga peamiselt neljaks osaks: IC projekteerimine → IC tootmine → pakend → testimine.
Kiibi tootmisprotsess:
1. Kiibi disain
Kiip on väikese mahuga, kuid ülimalt suure täpsusega toode.Kiibi valmistamiseks on esimene osa disain.Disain eeldab töötlemiseks vajaliku kiibidisaini kiibidisaini abi EDA tööriista ja mõnede IP-südamike abil.
Kiibi tootmisprotsess:
1. Kiibi disain
Kiip on väikese mahuga, kuid ülimalt suure täpsusega toode.Kiibi valmistamiseks on esimene osa disain.Disain eeldab töötlemiseks vajaliku kiibidisaini kiibidisaini abi EDA tööriista ja mõnede IP-südamike abil.
3. Räni -lifting
Pärast räni eraldamist jäetakse ülejäänud materjalid maha.Puhas räni on pärast mitut etappi saavutanud pooljuhtide valmistamise kvaliteedi.See on nn elektrooniline räni.
4. Ränivalu valuplokid
Pärast puhastamist tuleks räni valada räni valuplokkidesse.Elektroonilise kvaliteediga räni monokristall kaalub pärast valuplokisse valamist umbes 100 kg ja räni puhtus ulatub 99,9999%.
5. Failide töötlemine
Pärast räni valuploki valamist tuleb kogu räni valuplokk tükkideks lõigata, mida me tavaliselt nimetame vahvliks, mis on väga õhuke.Seejärel poleeritakse vahvlit täiuslikuks ja pind on sama sile kui peegel.
Räniplaatide läbimõõt on 8 tolli (200 mm) ja 12 tolli (300 mm).Mida suurem on läbimõõt, seda madalam on ühe kiibi maksumus, kuid seda suurem on töötlemisraskus.
5. Failide töötlemine
Pärast räni valuploki valamist tuleb kogu räni valuplokk tükkideks lõigata, mida me tavaliselt nimetame vahvliks, mis on väga õhuke.Seejärel poleeritakse vahvlit täiuslikuks ja pind on sama sile kui peegel.
Räniplaatide läbimõõt on 8 tolli (200 mm) ja 12 tolli (300 mm).Mida suurem on läbimõõt, seda madalam on ühe kiibi maksumus, kuid seda suurem on töötlemisraskus.
7. Varjutus ja ioonisüst
Esiteks on vaja korrodeerida väljaspool fotoresisti eksponeeritud ränioksiidi ja räni nitriid ning sadestada kristalltoru vahel isoleerimiseks ränikiht ning seejärel kasutada põhjaräni paljastamiseks söövitustehnoloogiat.Seejärel süstige boor või fosfor ränistruktuuri, seejärel täitke vask teiste transistoridega ühendamiseks ja seejärel kandke sellele veel üks kiht liimi, et luua struktuurikiht.Üldiselt sisaldab kiip kümneid kihte, nagu tihedalt põimunud maanteed.
7. Varjutus ja ioonisüst
Esiteks on vaja korrodeerida väljaspool fotoresisti eksponeeritud ränioksiidi ja räni nitriid ning sadestada kristalltoru vahel isoleerimiseks ränikiht ning seejärel kasutada põhjaräni paljastamiseks söövitustehnoloogiat.Seejärel süstige boor või fosfor ränistruktuuri, seejärel täitke vask teiste transistoridega ühendamiseks ja seejärel kandke sellele veel üks kiht liimi, et luua struktuurikiht.Üldiselt sisaldab kiip kümneid kihte, nagu tihedalt põimunud maanteed.
Postitusaeg: juuli-08-2023